Publikationen pro Jahr
Publikationen pro Jahr
Kooperationen und Spitzenforschungsbereiche der letzten fünf Jahre
Jüngste externe Zusammenarbeit auf Länder-/Gebietsebene. Tauchen Sie ein in Details, indem Sie auf die Punkte klicken, oder:
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20 kHz X-ray diffraction on Cu thin films explores thermomechanical fatigue at high strain-rates
Ziegelwanger, T., Reisinger, M., Vedad, B., Hlushko, K., Van Petegem, S., Todt, J., Meindlhumer, M. & Keckes, J., 31 Jan. 2025, in: Materials and Design. 251.2025, March, 9 S., 113664.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Begutachtung
Open Access -
Combined X-ray microdiffraction and micromechanical testing for direct measurement of thin film elastic constants
Janknecht, R., Hahn, R., Koutná, N., Todt, J., Meindlhumer, M., Davidok, A., Riedl, H., Keckes, J. & Mayrhofer, P. H., 15 Feb. 2025, in: Materials and Design. 252.2025, April, 11 S., 113720.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Begutachtung
Open Access -
Harvesting superior intrinsic plasticity in nitride ceramics with negative stacking fault energy
Huang, Y., Chen, Z., Meindlhumer, M., Hahn, R., Holec, D., Leiner, T., Maier-Kiener, V., Zheng, Y., Zhang, Z., Hatzenbichler, L., Riedl, H., Mitterer, C. & Zhang, Z., 23 Jan. 2025, in: Acta Materialia. 286.2025, 1 March, 15 S., 120774.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Begutachtung
Open Access -
Resolving the fundamentals of the J-integral concept by multi-method in situ nanoscale stress-strain mapping
Meindlhumer, M., Alfreider, M., Sheshi, N., Hohenwarter, A., Todt, J., Rosenthal, M., Burghammer, M., Salvati, E., Keckes, J. & Kiener, D., 22 Feb. 2025, in: Communications materials. 2025, 6, 15 S., 35.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Begutachtung
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Backside metallization affects residual stress and bending strength of the recast layer in laser-diced Si
Ziegelwanger, T., Reisinger, M., Matoy, K., Medjahed, A. A., Zalesak, J., Gruber, M., Meindlhumer, M. & Keckes, J., Okt. 2024, in: Materials Science in Semiconductor Processing. 181, 108579.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Begutachtung
Open Access
Aktivitäten
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Microstructure and residual stress gradients in AlCrSiN thin films revealed by X-ray nanodiffraction: Precipitation-induced crack arrest at sublayer interfaces
Kutlesa, K. (Redner), Meindlhumer, M. (Beitragende/r), Lassnig, A. (Beitragende/r), Daniel, R. (Beitragende/r), Tkadletz, M. (Beitragende/r), Medjahed, A. A. (Beitragende/r) & Keckes, J. (Beitragende/r)
2 Dez. 2024Aktivität: Gespräch oder Vortrag › Mündliche Präsentation
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EVOLUTION OF NANOSCOPIC STRESS AND STRAIN CONCENTRATIONS ACROSS NOTCHED MICROCANTILEVERS DURING IN SITU BENDING
Meindlhumer, M. (Redner), Todt, J. (Beitragende/r), Hohenwarter, A. (Beitragende/r), Burghammer, M. (Beitragende/r), Rosenthal, M. (Beitragende/r), Kiener, D. (Beitragende/r), Keckes, J. (Beitragende/r) & Alfreider, M. (Beitragende/r)
9 Okt. 2024Aktivität: Gespräch oder Vortrag › Mündliche Präsentation
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Mechanical response of varying non-equilibrium grain boundary states in nanocrystalline iron-chromium
Alfreider, M. (Redner), Keckes, J. F. (Beitragende/r), Burtscher, M. (Beitragende/r), Bachmaier, A. (Beitragende/r), Kiener, D. (Beitragende/r) & Meindlhumer, M. (Beitragende/r)
8 Okt. 2024Aktivität: Gespräch oder Vortrag › Mündliche Präsentation
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Experimental fracture mechanics on the micro- to nanoscale
Alfreider, M. (Redner), Balbus, G. (Beitragende/r), Wang, F. (Beitragende/r), Bodlos, R. (Beitragende/r), Romaner, L. (Beitragende/r), Jelinek, A. (Beitragende/r), Žák, S. (Beitragende/r), Meindlhumer, M. (Beitragende/r), Gianola, D. S. (Beitragende/r) & Kiener, D. (Beitragende/r)
26 Sept. 2024Aktivität: Gespräch oder Vortrag › Mündliche Präsentation
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European Synchrotron Radiation Facility
Todt, J. (Gastforscher), Keckes, J. (Gastforscher), Meindlhumer, M. (Gastforscher), Asci, A. (Gastforscher), Pogrielz, T. (Gastforscher) & Eichinger, P. (Gastforscher)
26 Juni 2024 → 7 Juli 2024Aktivität: Besuch einer externen Einrichtung › Besuch einer externen akademischen Einrichtung