Aluminium oxide for an effective gate in Si/SiGe two-dimensional electron gas systems

Titel in Übersetzung: Aluminium oxide for an effective gate in Si/SiGe two-dimensional electron gas systems

Y.S. Shin, Roland Brunner, [No Value] et.al.

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungBegutachtung

Titel in ÜbersetzungAluminium oxide for an effective gate in Si/SiGe two-dimensional electron gas systems
OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)05504-05507
FachzeitschriftSemiconductor science and technology
Jahrgang26
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2011

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