Aluminum oxide for an effective Schottky gate in Si / SiGe two

Titel in Übersetzung: Aluminum oxide for an effective Schottky gate in Si / SiGe two

Roland Brunner

Publikation: KonferenzbeitragPosterForschungBegutachtung

Titel in ÜbersetzungAluminum oxide for an effective Schottky gate in Si / SiGe two
OriginalspracheEnglisch
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2010
Veranstaltung30th International Conference on the Physics of Semiconductors - Seoul, Südkorea
Dauer: 25 Juli 201030 Juli 2010

Konferenz

Konferenz30th International Conference on the Physics of Semiconductors
KurztitelICPS 2010
Land/GebietSüdkorea
OrtSeoul
Zeitraum25/07/1030/07/10

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