Effect of Ge nanoislandson lateral photoconductivity of Ge-SiOx-Si structures

Titel in Übersetzung: Effect of Ge nanoislandson lateral photoconductivity of Ge-SiOx-Si structures

V. S. Lysenko, Yu V. Gomeniuk, Yu. N. Kozyrev, M. Yu. Rubezhanska, V.K. Sklyar, S.V. Kondratenko, Ye.Ye. Melnichuk, Christian Teichert

Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/KonferenzbandBeitrag in Konferenzband

6 Zitate (Scopus)
Titel in ÜbersetzungEffect of Ge nanoislandson lateral photoconductivity of Ge-SiOx-Si structures
OriginalspracheEnglisch
TitelNanoscaled Semiconductor-on-Insulator Materials, Sensors and Devices
Untertitelselected, peer reviewed papers from the 6th International Workshop on Semiconductor-on-Insulator Materials and Devices, 24 - 28 October, 2010 Kyiv, Ukraine
Seiten179-186
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2011

Publikationsreihe

NameAdvanced materials research
Band276
ISSN (Print)1662-8985

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