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ENERGY-LEVELS OF INTERSTITIAL MANGANESE IN SILICON

Titel in Übersetzung: ENERGY-LEVELS OF INTERSTITIAL MANGANESE IN SILICON
  • Rainer Czaputa
  • , Helmut Feichtinger
  • , Josef Oswald

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungBegutachtung

25 Zitate (Scopus)
Titel in ÜbersetzungENERGY-LEVELS OF INTERSTITIAL MANGANESE IN SILICON
OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)223-226
FachzeitschriftSolid state communications
Jahrgang47
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1983

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