Growth of para-hexaphenyl (6P) on silicon oxide by hot wall epitaxy

Titel in Übersetzung: Growth of para-hexaphenyl (6P) on silicon oxide by hot wall epitaxy

Markus Kratzer, Quan Shen, Christian Teichert

Publikation: Konferenzbeitrag › Poster › Forschung › Begutachtung

Titel in ÜbersetzungGrowth of para-hexaphenyl (6P) on silicon oxide by hot wall epitaxy
OriginalspracheEnglisch
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2010
VeranstaltungIn situ characterization of near-surface processes - Eisenerz, Österreich
Dauer: 30 Mai 2010 → 3 Juni 2010

Konferenz

KonferenzIn situ characterization of near-surface processes
Land/GebietÖsterreich
OrtEisenerz
Zeitraum30/05/10 → 3/06/10

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