Growth of para-hexaphenyl (p6P) on SiO2 by hot wall epitaxy

Publikation: KonferenzbeitragPosterForschungBegutachtung

Titel in ÜbersetzungGrowth of para-hexaphenyl (p6P) on SiO2 by hot wall epitaxy
OriginalspracheDeutsch
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2010
VeranstaltungDPG Frühjahrstagung der Sektion Kondensierte Materie (SKM) - Regensburg, Deutschland
Dauer: 21 März 201026 März 2010

Konferenz

KonferenzDPG Frühjahrstagung der Sektion Kondensierte Materie (SKM)
Land/GebietDeutschland
OrtRegensburg
Zeitraum21/03/1026/03/10

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