Growth of para-hexaphenyl (p6P) on SiO2 by hot wall epitaxy

Markus Kratzer, Quan Shen, Christian Teichert

Publikation: Konferenzbeitrag › Poster › Forschung › Begutachtung

Titel in ÜbersetzungGrowth of para-hexaphenyl (p6P) on SiO2 by hot wall epitaxy
OriginalspracheDeutsch
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2010
VeranstaltungDPG Frühjahrstagung der Sektion Kondensierte Materie (SKM) - Regensburg, Deutschland
Dauer: 21 März 2010 → 26 März 2010

Konferenz

KonferenzDPG Frühjahrstagung der Sektion Kondensierte Materie (SKM)
Land/GebietDeutschland
OrtRegensburg
Zeitraum21/03/10 → 26/03/10

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