Abstract
Wafer aus Silizium-Einkristallen stellen die Grundlage der Mikro- und Nanoelektronik dar und sind daher für die Produktion fast aller elektronischen Bauteile unverzichtbar. Weiters gibt es von Seiten der Photovoltaik eine immer größere Nachfrage nach einkristallinem Silizium. Dieses wird aus Polysilizium über das Czochralski-Ziehverfahren oder durch Zonenziehen hergestellt. Beim Einrichten der Tiegel mit unterschiedlichen Sorten von Polysilizium für das Kristallziehen kommt es zu einer signifikanten Belastung der Mitarbeiter durch Siliziumstaub. Die vorliegende Arbeit beschreibt die Entwicklung einer Absaugung, wodurch eine Verbesserung der Arbeitsbedingungen erzielt werden soll. Mit dem Staubmessgerät Respicon wurden die einzelnen Polysiliziumsorten in Bezug auf die Staubentwicklung miteinander verglichen und eine mikroskopische Analyse durchgeführt. Anschließend erfolgte eine Gegenüberstellung verschiedener Lösungsansätze unter Berücksichtigung von Effizienz, Aufwand und Praxistauglichkeit. Ausgewählte Vorschläge wurden durch Versuche mit Prototypen einer näheren Untersuchung unterzogen. Um die Absaugung wirkungsvoll zu gestalten, wurden Berechnungen zu Luftgeschwindigkeit und Volumenstrom durchgeführt und die Ergebnisse mit Hilfe des Simulationsprogrammes Fluent verifiziert. Anschließend erfolgte in einem weiteren Experiment die Überprüfung der ausgewählten Konstruktion auf ihre Praxistauglichkeit. Alle Versuche wurden für die Siltronic AG in Burghausen durchgeführt.
Titel in Übersetzung | Dust exposure reduction during the production of monocrystalline silicon |
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Originalsprache | Deutsch |
Qualifikation | Dipl.-Ing. |
Betreuer/-in / Berater/-in |
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Datum der Bewilligung | 18 Dez. 2009 |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2009 |
Bibliographische Notiz
gesperrt bis nullSchlagwörter
- Silizium Einkristall Czochralski Staub Staubmessung Respicon Tiegeleinrichten Absaugung