Spectroscopy of defects in epitaxially grown para-sexiphenyl nanostructures

A. Kadashchuk; S Schols; Yu. Skryshevski; Igor Beinik; Christian Teichert; Gerardo Hernandez-Sosa; Helmut Sitter; A. Andreev; Paul Frank; Adolf Winkler

doi:10.1007/978-3-540-95930-4_20

Spectroscopy of defects in epitaxially grown para-sexiphenyl nanostructures

Titel in Übersetzung: Spectroscopy of defects in epitaxially grown para-sexiphenyl nanostructures

A. Kadashchuk
, S Schols
, Yu. Skryshevski
, Igor Beinik
, Christian Teichert
, Gerardo Hernandez-Sosa
, Helmut Sitter
, A. Andreev
, Paul Frank
, Adolf Winkler

Lehrstuhl für Physik (460)

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1 Zitat (Scopus)

Titel in Übersetzung	Spectroscopy of defects in epitaxially grown para-sexiphenyl nanostructures
Originalsprache	Englisch
Titel	Interface Controlled Organic Thin Films
Seiten	121-125
ISBN (elektronisch)	978-3-540-95930-4
DOIs	https://doi.org/10.1007/978-3-540-95930-4_20
Publikationsstatus	Veröffentlicht - 2009

Publikationsreihe

Name	Springer proceedings in physics
Band	129
ISSN (Print)	0930-8989
ISSN (elektronisch)	1867-4941

Zugriff auf Dokument

10.1007/978-3-540-95930-4_20

Dieses zitieren

Kadashchuk, A., Schols, S., Skryshevski, Y., Beinik, I., Teichert, C., Hernandez-Sosa, G., Sitter, H., Andreev, A., Frank, P., & Winkler, A. (2009). Spectroscopy of defects in epitaxially grown para-sexiphenyl nanostructures. in Interface Controlled Organic Thin Films (S. 121-125). (Springer proceedings in physics; Band 129). https://doi.org/10.1007/978-3-540-95930-4_20

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