Повышение аналитических характеристик полупроводниковых адсорбционных датчиков на основе SnO2 с помощью фотонной симуляции

Elizaveta Cheremisina

Повышение аналитических характеристик полупроводниковых адсорбционных датчиков на основе SnO2 с помощью фотонной симуляции

Translated title of the contribution: Improving the analytical characteristics of adsorption semiconductor sensors based on adsorbtion SnO2 using photon simulation

Elizaveta Cheremisina

Chair of Ferrous Metallurgy (220)

Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Chapter › Research

Translated title of the contribution	Improving the analytical characteristics of adsorption semiconductor sensors based on adsorbtion SnO2 using photon simulation
Original language	Other
Title of host publication	Повышение аналитических характеристик полупроводниковых адсорбционных датчиков на основе SnO2 с помощью фотонной симуляции
Place of Publication	Химическая физика экологических процессов
Volume	31
Edition	10
Publication status	Published - 2012

Keywords

photon simulation

Cite this

Cheremisina, E. (2012). Повышение аналитических характеристик полупроводниковых адсорбционных датчиков на основе SnO2 с помощью фотонной симуляции. In Повышение аналитических характеристик полупроводниковых адсорбционных датчиков на основе SnO2 с помощью фотонной симуляции (10 ed., Vol. 31).

Cheremisina, Elizaveta. / Повышение аналитических характеристик полупроводниковых адсорбционных датчиков на основе SnO2 с помощью фотонной симуляции. Повышение аналитических характеристик полупроводниковых адсорбционных датчиков на основе SnO2 с помощью фотонной симуляции. Vol. 31 10. ed. Химическая физика экологических процессов, 2012.

@inbook{892ec9aeec4942468f4bd88442ee09d9,

title = "Повышение аналитических характеристик полупроводниковых адсорбционных датчиков на основе SnO2 с помощью фотонной симуляции",

keywords = "photon simulation",

author = "Elizaveta Cheremisina",

year = "2012",

language = "Other",

volume = "31",

booktitle = "Повышение аналитических характеристик полупроводниковых адсорбционных датчиков на основе SnO2 с помощью фотонной симуляции",

edition = "10",

}

Cheremisina, E 2012, Повышение аналитических характеристик полупроводниковых адсорбционных датчиков на основе SnO2 с помощью фотонной симуляции. in Повышение аналитических характеристик полупроводниковых адсорбционных датчиков на основе SnO2 с помощью фотонной симуляции. 10 edn, vol. 31, Химическая физика экологических процессов.

Повышение аналитических характеристик полупроводниковых адсорбционных датчиков на основе SnO2 с помощью фотонной симуляции. / Cheremisina, Elizaveta.
Повышение аналитических характеристик полупроводниковых адсорбционных датчиков на основе SnO2 с помощью фотонной симуляции. Vol. 31 10. ed. Химическая физика экологических процессов, 2012.

Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Chapter › Research

TY - CHAP

T1 - Повышение аналитических характеристик полупроводниковых адсорбционных датчиков на основе SnO2 с помощью фотонной симуляции

AU - Cheremisina, Elizaveta

PY - 2012

Y1 - 2012

KW - photon simulation

M3 - Chapter

VL - 31

BT - Повышение аналитических характеристик полупроводниковых адсорбционных датчиков на основе SnO2 с помощью фотонной симуляции

CY - Химическая физика экологических процессов

ER -

Cheremisina E. Повышение аналитических характеристик полупроводниковых адсорбционных датчиков на основе SnO2 с помощью фотонной симуляции. In Повышение аналитических характеристик полупроводниковых адсорбционных датчиков на основе SnO2 с помощью фотонной симуляции. 10 ed. Vol. 31. Химическая физика экологических процессов. 2012